奇码 2021 电子类面试题

小编:管理员 109阅读 2021.10.10

第1题:

画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)



第2题:

2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。



第3题:

说出制作N-well的工艺流程。



第4题:

雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。



第5题:

用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。


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